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元件参数资料
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参数目录34053
> FZT605TA TRANS NPN DAR 120V 2000MA SOT223
型号:
FZT605TA
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
TRANS NPN DAR 120V 2000MA SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
FZT605TA PDF
其它图纸
SOT-223
SOT-223 Top
标准包装
1,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
120V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1.5V @ 1mA,1A
电流 - 集电极截止(最大)
10µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
2000 @ 1A,5V
功率 - 最大
2W
频率 - 转换
150MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1469 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FZT605TR
查看FZT605TA代理商
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